Cina dan Niizi
Jakarta, 20 Mei 2026 — Fakultas Teknik UNJ mengundang Professor Dr. Zainuriah Hassan dari Universiti Sains Malaysia dalam kegiatan Curriculum Discussion yang menjadi bagian dari program Visiting Professor. Kegiatan ini diselenggarakan pada Senin, 18 Mei 2026 di Gedung SFD A lantai 3 dan dihadiri oleh GPJM FT, dosen, serta mahasiswa yang turut mengikuti jalannya diskusi.
Program ini bertujuan memperkuat pengembangan kurikulum yang adaptif dan berstandar global agar lulusan Fakultas Teknik UNJ mampu bersaing di tingkat nasional maupun internasional. Selain itu, kegiatan ini juga menjadi langkah strategis Fakultas Teknik dalam memperkuat kurikulum berbasis kebutuhan global, mendorong transfer ilmu pengetahuan dari akademisi internasional, serta meningkatkan kualitas pendidikan teknik di Indonesia.
Dalam program Visiting Professor tersebut turut dibahas tema mengenai akselerasi riset global. Kehadiran Professor Dr. Zainuriah Hassan dari Universiti Sains Malaysia memberikan gambaran mengenai perkembangan inovasi teknologi semikonduktor dan percepatan riset internasional, khususnya pada bidang teknologi semikonduktor generasi terbaru.
Keilmuan rekayasa elektro dan sistem kontrol global saat ini berada pada fase transformasi besar. Penggunaan komponen berbasis material silikon (Si) konvensional yang selama puluhan tahun menjadi fondasi utama perangkat elektronik dinilai mulai mencapai batas optimalnya. Untuk meningkatkan efisiensi elektrikal di masa depan, industri global didorong melakukan transisi menuju material semikonduktor generasi baru, yaitu Gallium Nitride (GaN), sebagai bagian dari dukungan terhadap target pembangunan berkelanjutan (Sustainable Development Goals/SDGs).
Pernyataan tersebut disampaikan langsung oleh Professor Dr. Zainuriah Hassan, FASc, seorang ilmuwan sekaligus Fellow Academy of Sciences Malaysia yang saat ini bertugas sebagai Visiting Top Professor di Universitas Negeri Jakarta (UNJ). Dalam pemaparannya yang bertajuk “Innovative Advances in Wide Band Gap Semiconductor Technology”, ia menjelaskan bahwa kebutuhan terhadap sistem konversi daya yang lebih efisien dan minim kehilangan energi menjadi tantangan yang harus segera dijawab.
“Silicon is out of gas, and a new higher performing semiconductor material based on GaN is emerging. Untuk seluruh efisiensi elektrikal pada ekosistem teknologi saat ini, sangat diharapkan ada langkah nyata dalam melakukan pergantian semikonduktor silikon dengan semikonduktor GaN, mengingat segala kelebihan karakteristik fisiknya yang luar biasa,” ujar Prof. Dr. Zainuriah Hassan, FASc (Visiting Top Professor UNJ).
Sebagai material yang termasuk kategori Wide Bandgap (WBG), GaN memiliki kemampuan yang melampaui silikon konvensional. Salah satu keunggulannya adalah efisiensi daya yang lebih tinggi melalui pengurangan kehilangan energi berupa panas hingga lebih dari 50 persen. Selain itu, GaN mampu bekerja pada frekuensi dan kecepatan saklar (switching speed) yang tinggi, memiliki ketahanan terhadap tegangan besar, serta tetap stabil pada kondisi temperatur ekstrem.
Karakteristik tersebut memungkinkan sistem konversi daya dirancang dalam ukuran yang lebih ringkas, ringan, dan padat. Berkurangnya panas yang dihasilkan juga membuat perangkat elektronik tidak lagi membutuhkan komponen pendingin berukuran besar. Hal ini secara langsung membantu mengurangi penggunaan material sekaligus menekan bobot keseluruhan sistem elektrikal.
Di sisi lain, akademisi dari Program Studi Sarjana Terapan Teknologi Rekayasa Otomasi (TRO) Fakultas Teknik UNJ menilai bahwa transisi menuju ekosistem GaN memiliki relevansi yang sangat erat dengan pengembangan keilmuan otomasi industri. Struktur kurikulum rekayasa otomasi yang memadukan sistem mekanik, kontrol elektronik, dan manajemen daya dinilai akan menjadi salah satu bidang terdepan dalam penerapan teknologi semikonduktor generasi baru tersebut.
Pada bidang Elektronika Daya (Power Electronics) yang menjadi salah satu fokus keilmuan TRO, komponen berbasis GaN diproyeksikan mampu mengubah desain modul inverter dan konverter daya tinggi pada mesin industri. Sementara pada bidang robotika dan sistem penggerak, kemampuan operasional GaN pada frekuensi tinggi memungkinkan perangkat motor driver pada lengan robotik maupun Automated Guided Vehicle (AGV) merespons sistem kontrol secara lebih cepat, presisi, dan stabil tanpa risiko overheating saat digunakan secara terus-menerus.
Berikut beberapa Integrasi Sistem Otomasi Berbasis GaN terhadap Target Global SDGs, yaitu, pertama, SDGs Poin 7 (Energi Bersih dan Terjangkau) dengan adanya penerapan GaN yang dapat membantu meminimalkan disipasi daya listrik pada sistem catu daya industri. Melalui teknologi ini, lulusan TRO berpeluang merancang sistem konversi energi seperti solar inverter yang lebih efisien sehingga pemanfaatan energi terbarukan dapat berlangsung secara optimal. Kedua, SDGs Poin 9 (Industri, Inovasi, dan Infrastruktur) melalui penggunaan semikonduktor generasi baru mendukung percepatan pengembangan smart factory yang lebih ringkas dan andal. Integrasi GaN pada perangkat PLC (Programmable Logic Controller) juga membuka peluang lahirnya sistem kendali berukuran lebih kecil dengan performa tinggi. Ketiga, SDGs Poin 12 (Konsumsi dan Produksi yang Bertanggung Jawab) bahwa efisiensi energi yang lebih baik mampu menekan konsumsi daya pada sektor industri sehingga membantu mengurangi jejak karbon operasional manufaktur. Selain itu, desain perangkat yang lebih kecil turut berkontribusi terhadap pengurangan limbah elektronik (e-waste). Keempat, SDGs Poin 13 (Penanganan Perubahan Iklim) melalui penghematan energi pada sistem industri otomatis dapat membantu menurunkan emisi gas rumah kaca dari pembangkit berbasis fosil. Pada sektor transportasi hijau, teknologi pengisian daya cepat (fast charging) berbasis GaN juga mendukung percepatan penggunaan kendaraan listrik.
Melalui kehadiran Professor Dr. Zainuriah Hassan di lingkungan UNJ, civitas akademika, khususnya Program Studi Teknologi Rekayasa Otomasi, didorong untuk memperkuat riset terapan berbasis komponen Wide Bandgap. Penguasaan teknologi ini tidak hanya berorientasi pada peningkatan efisiensi industri, tetapi juga menjadi bagian dari kontribusi nyata dunia akademik dalam mendukung pembangunan berkelanjutan dan keberlanjutan lingkungan di masa depan.
Diskusi kurikulum dalam kegiatan ini juga menyoroti pentingnya penyesuaian materi pembelajaran di bidang elektronika daya, sistem kontrol, dan otomasi industri agar selaras dengan perkembangan teknologi semikonduktor generasi terbaru. Penguatan kurikulum berbasis teknologi Wide Bandgap seperti GaN dinilai penting untuk mempersiapkan lulusan yang mampu menghadapi kebutuhan industri global yang semakin menekankan efisiensi energi, kecepatan sistem, dan keberlanjutan teknologi.
Melalui pembaruan kurikulum tersebut, mahasiswa diharapkan tidak hanya memahami konsep dasar rekayasa otomasi, tetapi juga mampu mengembangkan solusi teknologi yang adaptif terhadap transformasi industri modern. Integrasi pembahasan semikonduktor GaN ke dalam pengembangan kurikulum TRO menjadi salah satu langkah strategis Fakultas Teknik UNJ dalam membangun kompetensi lulusan yang relevan dengan perkembangan industri berbasis otomasi cerdas dan energi berkelanjutan.
(Sumber: Instagram @ft_unj_official)